NVD4856NT4G
MOSFET N-CH 25V 89A DPAK
Artikelnummer
NVD4856NT4G
Tillverkare/varumärke
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
1.33W (Ta), 60W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13.3A (Ta), 89A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2241pF @ 12V
Vgs (max)
±20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11522 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NVD4856NT4G
NVD4856NT4G Elektroniska komponenter
NVD4856NT4G Försäljning
NVD4856NT4G Leverantör
NVD4856NT4G Distributör
NVD4856NT4G Datatabell
NVD4856NT4G Foton
NVD4856NT4G Pris
NVD4856NT4G Erbjudande
NVD4856NT4G Lägsta pris
NVD4856NT4G Sök
NVD4856NT4G Köp av
NVD4856NT4G Chip