NVB5860NT4G
MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK
Artikelnummer
NVB5860NT4G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK-3
Effektförlust (max)
283W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
220A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10760pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37123 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NVB5860NT4G
NVB5860NT4G Elektroniska komponenter
NVB5860NT4G Försäljning
NVB5860NT4G Leverantör
NVB5860NT4G Distributör
NVB5860NT4G Datatabell
NVB5860NT4G Foton
NVB5860NT4G Pris
NVB5860NT4G Erbjudande
NVB5860NT4G Lägsta pris
NVB5860NT4G Sök
NVB5860NT4G Köp av
NVB5860NT4G Chip