NTLJS1102PTBG
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
Artikelnummer
NTLJS1102PTBG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
6-WDFN Exposed Pad
Leverantörsenhetspaket
6-WDFN (2x2)
Effektförlust (max)
700mW (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
8V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
36 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
720mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1585pF @ 4V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.2V, 4.5V
Vgs (max)
±6V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10047 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTLJS1102PTBG
NTLJS1102PTBG Elektroniska komponenter
NTLJS1102PTBG Försäljning
NTLJS1102PTBG Leverantör
NTLJS1102PTBG Distributör
NTLJS1102PTBG Datatabell
NTLJS1102PTBG Foton
NTLJS1102PTBG Pris
NTLJS1102PTBG Erbjudande
NTLJS1102PTBG Lägsta pris
NTLJS1102PTBG Sök
NTLJS1102PTBG Köp av
NTLJS1102PTBG Chip