NTLJD3182FZTBG
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
Artikelnummer
NTLJD3182FZTBG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
6-WDFN Exposed Pad
Leverantörsenhetspaket
6-WDFN (2x2)
Effektförlust (max)
710mW (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
Schottky Diode (Isolated)
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7.8nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
450pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20209 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTLJD3182FZTBG
NTLJD3182FZTBG Elektroniska komponenter
NTLJD3182FZTBG Försäljning
NTLJD3182FZTBG Leverantör
NTLJD3182FZTBG Distributör
NTLJD3182FZTBG Datatabell
NTLJD3182FZTBG Foton
NTLJD3182FZTBG Pris
NTLJD3182FZTBG Erbjudande
NTLJD3182FZTBG Lägsta pris
NTLJD3182FZTBG Sök
NTLJD3182FZTBG Köp av
NTLJD3182FZTBG Chip