NTGD4169FT1G
MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
Artikelnummer
NTGD4169FT1G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-25°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-23-6
Leverantörsenhetspaket
6-TSOP
Effektförlust (max)
900mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Schottky Diode (Isolated)
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
5.5nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
295pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10827 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTGD4169FT1G
NTGD4169FT1G Elektroniska komponenter
NTGD4169FT1G Försäljning
NTGD4169FT1G Leverantör
NTGD4169FT1G Distributör
NTGD4169FT1G Datatabell
NTGD4169FT1G Foton
NTGD4169FT1G Pris
NTGD4169FT1G Erbjudande
NTGD4169FT1G Lägsta pris
NTGD4169FT1G Sök
NTGD4169FT1G Köp av
NTGD4169FT1G Chip