Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
NTD80N02T4G

NTD80N02T4G

MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
Artikelnummer
NTD80N02T4G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
75W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
24V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2600pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 39729 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av NTD80N02T4G
NTD80N02T4G Elektroniska komponenter
NTD80N02T4G Försäljning
NTD80N02T4G Leverantör
NTD80N02T4G Distributör
NTD80N02T4G Datatabell
NTD80N02T4G Foton
NTD80N02T4G Pris
NTD80N02T4G Erbjudande
NTD80N02T4G Lägsta pris
NTD80N02T4G Sök
NTD80N02T4G Köp av
NTD80N02T4G Chip