NTD5806NT4G
MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
Artikelnummer
NTD5806NT4G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
40W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
860pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43754 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTD5806NT4G
NTD5806NT4G Elektroniska komponenter
NTD5806NT4G Försäljning
NTD5806NT4G Leverantör
NTD5806NT4G Distributör
NTD5806NT4G Datatabell
NTD5806NT4G Foton
NTD5806NT4G Pris
NTD5806NT4G Erbjudande
NTD5806NT4G Lägsta pris
NTD5806NT4G Sök
NTD5806NT4G Köp av
NTD5806NT4G Chip