NTD4979NT4G
MOSFET N-CH 30V 9.4A DPAK-3
Artikelnummer
NTD4979NT4G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.4A (Ta), 41A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
16.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
837pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22524 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTD4979NT4G
NTD4979NT4G Elektroniska komponenter
NTD4979NT4G Försäljning
NTD4979NT4G Leverantör
NTD4979NT4G Distributör
NTD4979NT4G Datatabell
NTD4979NT4G Foton
NTD4979NT4G Pris
NTD4979NT4G Erbjudande
NTD4979NT4G Lägsta pris
NTD4979NT4G Sök
NTD4979NT4G Köp av
NTD4979NT4G Chip