NTD4969N-35G
MOSFET N-CH 30V 41A IPAK-3
Artikelnummer
NTD4969N-35G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Leverantörsenhetspaket
I-PAK
Effektförlust (max)
1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.4A (Ta), 41A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
837pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48311 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTD4969N-35G
NTD4969N-35G Elektroniska komponenter
NTD4969N-35G Försäljning
NTD4969N-35G Leverantör
NTD4969N-35G Distributör
NTD4969N-35G Datatabell
NTD4969N-35G Foton
NTD4969N-35G Pris
NTD4969N-35G Erbjudande
NTD4969N-35G Lägsta pris
NTD4969N-35G Sök
NTD4969N-35G Köp av
NTD4969N-35G Chip