NTD4809NHT4G
MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
Artikelnummer
NTD4809NHT4G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
1.3W (Ta), 52W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.6A (Ta), 58A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2155pF @ 12V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 11.5V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19177 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTD4809NHT4G
NTD4809NHT4G Elektroniska komponenter
NTD4809NHT4G Försäljning
NTD4809NHT4G Leverantör
NTD4809NHT4G Distributör
NTD4809NHT4G Datatabell
NTD4809NHT4G Foton
NTD4809NHT4G Pris
NTD4809NHT4G Erbjudande
NTD4809NHT4G Lägsta pris
NTD4809NHT4G Sök
NTD4809NHT4G Köp av
NTD4809NHT4G Chip