NDS8852H
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Artikelnummer
NDS8852H
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Max
1W
Leverantörsenhetspaket
8-SO
FET typ
N and P-Channel
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.3A, 3.4A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13338 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NDS8852H
NDS8852H Elektroniska komponenter
NDS8852H Försäljning
NDS8852H Leverantör
NDS8852H Distributör
NDS8852H Datatabell
NDS8852H Foton
NDS8852H Pris
NDS8852H Erbjudande
NDS8852H Lägsta pris
NDS8852H Sök
NDS8852H Köp av
NDS8852H Chip