Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
HUFA76629D3ST

HUFA76629D3ST

MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
Artikelnummer
HUFA76629D3ST
Tillverkare/varumärke
Serier
UltraFET™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252AA
Effektförlust (max)
110W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
52 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1285pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19842 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av HUFA76629D3ST
HUFA76629D3ST Elektroniska komponenter
HUFA76629D3ST Försäljning
HUFA76629D3ST Leverantör
HUFA76629D3ST Distributör
HUFA76629D3ST Datatabell
HUFA76629D3ST Foton
HUFA76629D3ST Pris
HUFA76629D3ST Erbjudande
HUFA76629D3ST Lägsta pris
HUFA76629D3ST Sök
HUFA76629D3ST Köp av
HUFA76629D3ST Chip