Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
BS170RL1G

BS170RL1G

MOSFET N-CH 60V 0.5A TO-92
Artikelnummer
BS170RL1G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Leverantörsenhetspaket
TO-92-3
Effektförlust (max)
350mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
60pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15989 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av BS170RL1G
BS170RL1G Elektroniska komponenter
BS170RL1G Försäljning
BS170RL1G Leverantör
BS170RL1G Distributör
BS170RL1G Datatabell
BS170RL1G Foton
BS170RL1G Pris
BS170RL1G Erbjudande
BS170RL1G Lägsta pris
BS170RL1G Sök
BS170RL1G Köp av
BS170RL1G Chip