2SK4209
MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB
Artikelnummer
2SK4209
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tray
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Leverantörsenhetspaket
TO-3PB
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 190W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.08 Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 47422 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av 2SK4209
2SK4209 Elektroniska komponenter
2SK4209 Försäljning
2SK4209 Leverantör
2SK4209 Distributör
2SK4209 Datatabell
2SK4209 Foton
2SK4209 Pris
2SK4209 Erbjudande
2SK4209 Lägsta pris
2SK4209 Sök
2SK4209 Köp av
2SK4209 Chip