2SJ665-DL-1EX
MOSFET P-CH 100V 27A TO263
Artikelnummer
2SJ665-DL-1EX
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TA)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263-2
Effektförlust (max)
65W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
27A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
77 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
74nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4200pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25586 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av 2SJ665-DL-1EX
2SJ665-DL-1EX Elektroniska komponenter
2SJ665-DL-1EX Försäljning
2SJ665-DL-1EX Leverantör
2SJ665-DL-1EX Distributör
2SJ665-DL-1EX Datatabell
2SJ665-DL-1EX Foton
2SJ665-DL-1EX Pris
2SJ665-DL-1EX Erbjudande
2SJ665-DL-1EX Lägsta pris
2SJ665-DL-1EX Sök
2SJ665-DL-1EX Köp av
2SJ665-DL-1EX Chip