PSMN8R5-108ESQ
MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
Artikelnummer
PSMN8R5-108ESQ
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK
Effektförlust (max)
263W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
108V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tj)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
111nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5512pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48379 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PSMN8R5-108ESQ
PSMN8R5-108ESQ Elektroniska komponenter
PSMN8R5-108ESQ Försäljning
PSMN8R5-108ESQ Leverantör
PSMN8R5-108ESQ Distributör
PSMN8R5-108ESQ Datatabell
PSMN8R5-108ESQ Foton
PSMN8R5-108ESQ Pris
PSMN8R5-108ESQ Erbjudande
PSMN8R5-108ESQ Lägsta pris
PSMN8R5-108ESQ Sök
PSMN8R5-108ESQ Köp av
PSMN8R5-108ESQ Chip