PMDPB56XN,115
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
Artikelnummer
PMDPB56XN,115
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
6-UDFN Exposed Pad
Effekt - Max
510mW
Leverantörsenhetspaket
DFN2020-6
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.1A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
73 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
2.9nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
170pF @ 15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12397 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PMDPB56XN,115
PMDPB56XN,115 Elektroniska komponenter
PMDPB56XN,115 Försäljning
PMDPB56XN,115 Leverantör
PMDPB56XN,115 Distributör
PMDPB56XN,115 Datatabell
PMDPB56XN,115 Foton
PMDPB56XN,115 Pris
PMDPB56XN,115 Erbjudande
PMDPB56XN,115 Lägsta pris
PMDPB56XN,115 Sök
PMDPB56XN,115 Köp av
PMDPB56XN,115 Chip