BUK9E1R8-40E,127
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Artikelnummer
BUK9E1R8-40E,127
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK
Effektförlust (max)
349W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
16400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43448 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BUK9E1R8-40E,127
BUK9E1R8-40E,127 Elektroniska komponenter
BUK9E1R8-40E,127 Försäljning
BUK9E1R8-40E,127 Leverantör
BUK9E1R8-40E,127 Distributör
BUK9E1R8-40E,127 Datatabell
BUK9E1R8-40E,127 Foton
BUK9E1R8-40E,127 Pris
BUK9E1R8-40E,127 Erbjudande
BUK9E1R8-40E,127 Lägsta pris
BUK9E1R8-40E,127 Sök
BUK9E1R8-40E,127 Köp av
BUK9E1R8-40E,127 Chip