PSMN7R6-100BSEJ
MOSFET N-CH 100V D2PAK
Artikelnummer
PSMN7R6-100BSEJ
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
296W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
75A (Tj)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
128nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7110pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7269 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PSMN7R6-100BSEJ
PSMN7R6-100BSEJ Elektroniska komponenter
PSMN7R6-100BSEJ Försäljning
PSMN7R6-100BSEJ Leverantör
PSMN7R6-100BSEJ Distributör
PSMN7R6-100BSEJ Datatabell
PSMN7R6-100BSEJ Foton
PSMN7R6-100BSEJ Pris
PSMN7R6-100BSEJ Erbjudande
PSMN7R6-100BSEJ Lägsta pris
PSMN7R6-100BSEJ Sök
PSMN7R6-100BSEJ Köp av
PSMN7R6-100BSEJ Chip