PSMN6R3-120PS
MOSFET N-CH 120V 70A TO-220
Artikelnummer
PSMN6R3-120PS
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
405W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
120V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
207.1nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11384pF @ 60V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25008 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PSMN6R3-120PS
PSMN6R3-120PS Elektroniska komponenter
PSMN6R3-120PS Försäljning
PSMN6R3-120PS Leverantör
PSMN6R3-120PS Distributör
PSMN6R3-120PS Datatabell
PSMN6R3-120PS Foton
PSMN6R3-120PS Pris
PSMN6R3-120PS Erbjudande
PSMN6R3-120PS Lägsta pris
PSMN6R3-120PS Sök
PSMN6R3-120PS Köp av
PSMN6R3-120PS Chip