PSMN4R1-60YLX
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Artikelnummer
PSMN4R1-60YLX
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SC-100, SOT-669
Leverantörsenhetspaket
LFPAK56, Power-SO8
Effektförlust (max)
238W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.1 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
103nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7853pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34475 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PSMN4R1-60YLX
PSMN4R1-60YLX Elektroniska komponenter
PSMN4R1-60YLX Försäljning
PSMN4R1-60YLX Leverantör
PSMN4R1-60YLX Distributör
PSMN4R1-60YLX Datatabell
PSMN4R1-60YLX Foton
PSMN4R1-60YLX Pris
PSMN4R1-60YLX Erbjudande
PSMN4R1-60YLX Lägsta pris
PSMN4R1-60YLX Sök
PSMN4R1-60YLX Köp av
PSMN4R1-60YLX Chip