PSMN2R0-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Artikelnummer
PSMN2R0-30YL,115
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SC-100, SOT-669
Leverantörsenhetspaket
LFPAK56, Power-SO8
Effektförlust (max)
97W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.15V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3980pF @ 12V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54428 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PSMN2R0-30YL,115
PSMN2R0-30YL,115 Elektroniska komponenter
PSMN2R0-30YL,115 Försäljning
PSMN2R0-30YL,115 Leverantör
PSMN2R0-30YL,115 Distributör
PSMN2R0-30YL,115 Datatabell
PSMN2R0-30YL,115 Foton
PSMN2R0-30YL,115 Pris
PSMN2R0-30YL,115 Erbjudande
PSMN2R0-30YL,115 Lägsta pris
PSMN2R0-30YL,115 Sök
PSMN2R0-30YL,115 Köp av
PSMN2R0-30YL,115 Chip