PSMN1R6-30PL,127
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Artikelnummer
PSMN1R6-30PL,127
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
306W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.15V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
212nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
12493pF @ 12V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21149 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PSMN1R6-30PL,127
PSMN1R6-30PL,127 Elektroniska komponenter
PSMN1R6-30PL,127 Försäljning
PSMN1R6-30PL,127 Leverantör
PSMN1R6-30PL,127 Distributör
PSMN1R6-30PL,127 Datatabell
PSMN1R6-30PL,127 Foton
PSMN1R6-30PL,127 Pris
PSMN1R6-30PL,127 Erbjudande
PSMN1R6-30PL,127 Lägsta pris
PSMN1R6-30PL,127 Sök
PSMN1R6-30PL,127 Köp av
PSMN1R6-30PL,127 Chip