PSMN102-200Y,115
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
Artikelnummer
PSMN102-200Y,115
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SC-100, SOT-669
Leverantörsenhetspaket
LFPAK56, Power-SO8
Effektförlust (max)
113W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
102 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
30.7nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1568pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37468 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PSMN102-200Y,115
PSMN102-200Y,115 Elektroniska komponenter
PSMN102-200Y,115 Försäljning
PSMN102-200Y,115 Leverantör
PSMN102-200Y,115 Distributör
PSMN102-200Y,115 Datatabell
PSMN102-200Y,115 Foton
PSMN102-200Y,115 Pris
PSMN102-200Y,115 Erbjudande
PSMN102-200Y,115 Lägsta pris
PSMN102-200Y,115 Sök
PSMN102-200Y,115 Köp av
PSMN102-200Y,115 Chip