PSMN069-100YS,115
MOSFET N-CH LFPAK
Artikelnummer
PSMN069-100YS,115
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SC-100, SOT-669
Leverantörsenhetspaket
LFPAK56, Power-SO8
Effektförlust (max)
56W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
72.4 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
645pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52617 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PSMN069-100YS,115
PSMN069-100YS,115 Elektroniska komponenter
PSMN069-100YS,115 Försäljning
PSMN069-100YS,115 Leverantör
PSMN069-100YS,115 Distributör
PSMN069-100YS,115 Datatabell
PSMN069-100YS,115 Foton
PSMN069-100YS,115 Pris
PSMN069-100YS,115 Erbjudande
PSMN069-100YS,115 Lägsta pris
PSMN069-100YS,115 Sök
PSMN069-100YS,115 Köp av
PSMN069-100YS,115 Chip