PSMN021-100YLX
MOSFET N-CH 100V LFPAK56
Artikelnummer
PSMN021-100YLX
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SC-100, SOT-669
Leverantörsenhetspaket
LFPAK56, Power-SO8
Effektförlust (max)
147W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
21.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
65.6nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4640pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11086 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PSMN021-100YLX
PSMN021-100YLX Elektroniska komponenter
PSMN021-100YLX Försäljning
PSMN021-100YLX Leverantör
PSMN021-100YLX Distributör
PSMN021-100YLX Datatabell
PSMN021-100YLX Foton
PSMN021-100YLX Pris
PSMN021-100YLX Erbjudande
PSMN021-100YLX Lägsta pris
PSMN021-100YLX Sök
PSMN021-100YLX Köp av
PSMN021-100YLX Chip