PMV280ENEAR
MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Artikelnummer
PMV280ENEAR
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMOS™
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
TO-236AB
Effektförlust (max)
580mW (Ta)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
385 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
190pF @ 50V
Vgs (max)
±20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46026 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PMV280ENEAR
PMV280ENEAR Elektroniska komponenter
PMV280ENEAR Försäljning
PMV280ENEAR Leverantör
PMV280ENEAR Distributör
PMV280ENEAR Datatabell
PMV280ENEAR Foton
PMV280ENEAR Pris
PMV280ENEAR Erbjudande
PMV280ENEAR Lägsta pris
PMV280ENEAR Sök
PMV280ENEAR Köp av
PMV280ENEAR Chip