PMV213SN,215
MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23
Artikelnummer
PMV213SN,215
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
TO-236AB (SOT23)
Effektförlust (max)
280mW (Tj)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31730 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PMV213SN,215
PMV213SN,215 Elektroniska komponenter
PMV213SN,215 Försäljning
PMV213SN,215 Leverantör
PMV213SN,215 Distributör
PMV213SN,215 Datatabell
PMV213SN,215 Foton
PMV213SN,215 Pris
PMV213SN,215 Erbjudande
PMV213SN,215 Lägsta pris
PMV213SN,215 Sök
PMV213SN,215 Köp av
PMV213SN,215 Chip