PMV20ENR
MOSFET N-CH 30V SOT23
Artikelnummer
PMV20ENR
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
TO-236AB (SOT23)
Effektförlust (max)
510mW (Ta), 6.94W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
10.8nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
435pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53979 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PMV20ENR
PMV20ENR Elektroniska komponenter
PMV20ENR Försäljning
PMV20ENR Leverantör
PMV20ENR Distributör
PMV20ENR Datatabell
PMV20ENR Foton
PMV20ENR Pris
PMV20ENR Erbjudande
PMV20ENR Lägsta pris
PMV20ENR Sök
PMV20ENR Köp av
PMV20ENR Chip