PMV120ENEAR
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
Artikelnummer
PMV120ENEAR
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
TO-236AB (SOT23)
Effektförlust (max)
513mW (Ta), 6.4W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.1A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
123 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7.4nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
275pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15043 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PMV120ENEAR
PMV120ENEAR Elektroniska komponenter
PMV120ENEAR Försäljning
PMV120ENEAR Leverantör
PMV120ENEAR Distributör
PMV120ENEAR Datatabell
PMV120ENEAR Foton
PMV120ENEAR Pris
PMV120ENEAR Erbjudande
PMV120ENEAR Lägsta pris
PMV120ENEAR Sök
PMV120ENEAR Köp av
PMV120ENEAR Chip