PMPB95ENEAX
MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220
Artikelnummer
PMPB95ENEAX
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
6-UDFN Exposed Pad
Leverantörsenhetspaket
6-DFN2020MD (2x2)
Effektförlust (max)
1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14.9nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
504pF @ 40V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51680 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PMPB95ENEAX
PMPB95ENEAX Elektroniska komponenter
PMPB95ENEAX Försäljning
PMPB95ENEAX Leverantör
PMPB95ENEAX Distributör
PMPB95ENEAX Datatabell
PMPB95ENEAX Foton
PMPB95ENEAX Pris
PMPB95ENEAX Erbjudande
PMPB95ENEAX Lägsta pris
PMPB95ENEAX Sök
PMPB95ENEAX Köp av
PMPB95ENEAX Chip