PMPB215ENEAX
MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220
Artikelnummer
PMPB215ENEAX
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
6-UDFN Exposed Pad
Leverantörsenhetspaket
DFN2020MD-6
Effektförlust (max)
1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
230 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
215pF @ 40V
Vgs (max)
±20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17197 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PMPB215ENEAX
PMPB215ENEAX Elektroniska komponenter
PMPB215ENEAX Försäljning
PMPB215ENEAX Leverantör
PMPB215ENEAX Distributör
PMPB215ENEAX Datatabell
PMPB215ENEAX Foton
PMPB215ENEAX Pris
PMPB215ENEAX Erbjudande
PMPB215ENEAX Lägsta pris
PMPB215ENEAX Sök
PMPB215ENEAX Köp av
PMPB215ENEAX Chip