PMPB20XNEAZ
MOSFET N-CH 20V SOT1220
Artikelnummer
PMPB20XNEAZ
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
6-UDFN Exposed Pad
Leverantörsenhetspaket
DFN2020MD-6
Effektförlust (max)
460mW (Ta), 12.5W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.5A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.25V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
930pF @ 10V
Vgs (max)
±12V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38260 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PMPB20XNEAZ
PMPB20XNEAZ Elektroniska komponenter
PMPB20XNEAZ Försäljning
PMPB20XNEAZ Leverantör
PMPB20XNEAZ Distributör
PMPB20XNEAZ Datatabell
PMPB20XNEAZ Foton
PMPB20XNEAZ Pris
PMPB20XNEAZ Erbjudande
PMPB20XNEAZ Lägsta pris
PMPB20XNEAZ Sök
PMPB20XNEAZ Köp av
PMPB20XNEAZ Chip