PMFPB8032XP,115
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
Artikelnummer
PMFPB8032XP,115
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
6-UDFN Exposed Pad
Leverantörsenhetspaket
DFN2020-6
Effektförlust (max)
485mW (Ta), 6.25W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
Schottky Diode (Isolated)
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15186 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PMFPB8032XP,115
PMFPB8032XP,115 Elektroniska komponenter
PMFPB8032XP,115 Försäljning
PMFPB8032XP,115 Leverantör
PMFPB8032XP,115 Distributör
PMFPB8032XP,115 Datatabell
PMFPB8032XP,115 Foton
PMFPB8032XP,115 Pris
PMFPB8032XP,115 Erbjudande
PMFPB8032XP,115 Lägsta pris
PMFPB8032XP,115 Sök
PMFPB8032XP,115 Köp av
PMFPB8032XP,115 Chip