PHT6NQ10T,135
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Artikelnummer
PHT6NQ10T,135
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-261-4, TO-261AA
Leverantörsenhetspaket
SOT-223
Effektförlust (max)
1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
633pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14431 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PHT6NQ10T,135
PHT6NQ10T,135 Elektroniska komponenter
PHT6NQ10T,135 Försäljning
PHT6NQ10T,135 Leverantör
PHT6NQ10T,135 Distributör
PHT6NQ10T,135 Datatabell
PHT6NQ10T,135 Foton
PHT6NQ10T,135 Pris
PHT6NQ10T,135 Erbjudande
PHT6NQ10T,135 Lägsta pris
PHT6NQ10T,135 Sök
PHT6NQ10T,135 Köp av
PHT6NQ10T,135 Chip