Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
PHB191NQ06LT,118

PHB191NQ06LT,118

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Artikelnummer
PHB191NQ06LT,118
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
95.6nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7665pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5092 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av PHB191NQ06LT,118
PHB191NQ06LT,118 Elektroniska komponenter
PHB191NQ06LT,118 Försäljning
PHB191NQ06LT,118 Leverantör
PHB191NQ06LT,118 Distributör
PHB191NQ06LT,118 Datatabell
PHB191NQ06LT,118 Foton
PHB191NQ06LT,118 Pris
PHB191NQ06LT,118 Erbjudande
PHB191NQ06LT,118 Lägsta pris
PHB191NQ06LT,118 Sök
PHB191NQ06LT,118 Köp av
PHB191NQ06LT,118 Chip