NX138BKR
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
Artikelnummer
NX138BKR
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
TO-236AB (SOT23)
Effektförlust (max)
310mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
265mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.5 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
0.49nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
20.2pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13653 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NX138BKR
NX138BKR Elektroniska komponenter
NX138BKR Försäljning
NX138BKR Leverantör
NX138BKR Distributör
NX138BKR Datatabell
NX138BKR Foton
NX138BKR Pris
NX138BKR Erbjudande
NX138BKR Lägsta pris
NX138BKR Sök
NX138BKR Köp av
NX138BKR Chip