BSH111BKR
MOSFET N-CH 55V SOT-23
Artikelnummer
BSH111BKR
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
TO-236AB (SOT23)
Effektförlust (max)
302mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
210mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
0.5nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49256 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSH111BKR
BSH111BKR Elektroniska komponenter
BSH111BKR Försäljning
BSH111BKR Leverantör
BSH111BKR Distributör
BSH111BKR Datatabell
BSH111BKR Foton
BSH111BKR Pris
BSH111BKR Erbjudande
BSH111BKR Lägsta pris
BSH111BKR Sök
BSH111BKR Köp av
BSH111BKR Chip