BSH111,215
MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23
Artikelnummer
BSH111,215
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
TO-236AB (SOT23)
Effektförlust (max)
830mW (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
335mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
1nC @ 8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
40pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13009 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSH111,215
BSH111,215 Elektroniska komponenter
BSH111,215 Försäljning
BSH111,215 Leverantör
BSH111,215 Distributör
BSH111,215 Datatabell
BSH111,215 Foton
BSH111,215 Pris
BSH111,215 Erbjudande
BSH111,215 Lägsta pris
BSH111,215 Sök
BSH111,215 Köp av
BSH111,215 Chip