BSH108,215
MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23
Artikelnummer
BSH108,215
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
TO-236AB (SOT23)
Effektförlust (max)
830mW (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
190pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34171 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSH108,215
BSH108,215 Elektroniska komponenter
BSH108,215 Försäljning
BSH108,215 Leverantör
BSH108,215 Distributör
BSH108,215 Datatabell
BSH108,215 Foton
BSH108,215 Pris
BSH108,215 Erbjudande
BSH108,215 Lägsta pris
BSH108,215 Sök
BSH108,215 Köp av
BSH108,215 Chip