JAN2N6766
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
Artikelnummer
JAN2N6766
Tillverkare/varumärke
Serier
Military, MIL-PRF-19500/543
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-204AE
Leverantörsenhetspaket
TO-3
Effektförlust (max)
4W (Ta), 150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
115nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5568 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av JAN2N6766
JAN2N6766 Elektroniska komponenter
JAN2N6766 Försäljning
JAN2N6766 Leverantör
JAN2N6766 Distributör
JAN2N6766 Datatabell
JAN2N6766 Foton
JAN2N6766 Pris
JAN2N6766 Erbjudande
JAN2N6766 Lägsta pris
JAN2N6766 Sök
JAN2N6766 Köp av
JAN2N6766 Chip