APTML20UM18R010T1AG
MOSFET N-CH 200V 109A SP1
Artikelnummer
APTML20UM18R010T1AG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SP1
Leverantörsenhetspaket
SP1
Effektförlust (max)
480W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
109A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9880pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23815 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APTML20UM18R010T1AG
APTML20UM18R010T1AG Elektroniska komponenter
APTML20UM18R010T1AG Försäljning
APTML20UM18R010T1AG Leverantör
APTML20UM18R010T1AG Distributör
APTML20UM18R010T1AG Datatabell
APTML20UM18R010T1AG Foton
APTML20UM18R010T1AG Pris
APTML20UM18R010T1AG Erbjudande
APTML20UM18R010T1AG Lägsta pris
APTML20UM18R010T1AG Sök
APTML20UM18R010T1AG Köp av
APTML20UM18R010T1AG Chip