APTM50DAM17G
MOSFET N-CH 500V 180A SP6
Artikelnummer
APTM50DAM17G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SP6
Leverantörsenhetspaket
SP6
Effektförlust (max)
1250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 10mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
560nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
28000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 47132 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APTM50DAM17G
APTM50DAM17G Elektroniska komponenter
APTM50DAM17G Försäljning
APTM50DAM17G Leverantör
APTM50DAM17G Distributör
APTM50DAM17G Datatabell
APTM50DAM17G Foton
APTM50DAM17G Pris
APTM50DAM17G Erbjudande
APTM50DAM17G Lägsta pris
APTM50DAM17G Sök
APTM50DAM17G Köp av
APTM50DAM17G Chip