APTM20DAM08TG
MOSFET N-CH 200V 208A SP4
Artikelnummer
APTM20DAM08TG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SP4
Leverantörsenhetspaket
SP4
Effektförlust (max)
781W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
208A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 104A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
280nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52124 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APTM20DAM08TG
APTM20DAM08TG Elektroniska komponenter
APTM20DAM08TG Försäljning
APTM20DAM08TG Leverantör
APTM20DAM08TG Distributör
APTM20DAM08TG Datatabell
APTM20DAM08TG Foton
APTM20DAM08TG Pris
APTM20DAM08TG Erbjudande
APTM20DAM08TG Lägsta pris
APTM20DAM08TG Sök
APTM20DAM08TG Köp av
APTM20DAM08TG Chip