APTM120UM70DAG
MOSFET N-CH 1200V 171A SP6
Artikelnummer
APTM120UM70DAG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SP6
Leverantörsenhetspaket
SP6
Effektförlust (max)
5000W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
171A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 85.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 30mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
1650nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
43500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41318 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APTM120UM70DAG
APTM120UM70DAG Elektroniska komponenter
APTM120UM70DAG Försäljning
APTM120UM70DAG Leverantör
APTM120UM70DAG Distributör
APTM120UM70DAG Datatabell
APTM120UM70DAG Foton
APTM120UM70DAG Pris
APTM120UM70DAG Erbjudande
APTM120UM70DAG Lägsta pris
APTM120UM70DAG Sök
APTM120UM70DAG Köp av
APTM120UM70DAG Chip