APTM120U10DAG
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
Artikelnummer
APTM120U10DAG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SP6
Leverantörsenhetspaket
SP6
Effektförlust (max)
3290W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 20mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
1100nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
28900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36983 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APTM120U10DAG
APTM120U10DAG Elektroniska komponenter
APTM120U10DAG Försäljning
APTM120U10DAG Leverantör
APTM120U10DAG Distributör
APTM120U10DAG Datatabell
APTM120U10DAG Foton
APTM120U10DAG Pris
APTM120U10DAG Erbjudande
APTM120U10DAG Lägsta pris
APTM120U10DAG Sök
APTM120U10DAG Köp av
APTM120U10DAG Chip