APTM120DA30CT1G
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Artikelnummer
APTM120DA30CT1G
Tillverkare/varumärke
Serier
POWER MOS 8™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SP1
Leverantörsenhetspaket
SP1
Effektförlust (max)
657W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
560nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14560pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38047 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APTM120DA30CT1G
APTM120DA30CT1G Elektroniska komponenter
APTM120DA30CT1G Försäljning
APTM120DA30CT1G Leverantör
APTM120DA30CT1G Distributör
APTM120DA30CT1G Datatabell
APTM120DA30CT1G Foton
APTM120DA30CT1G Pris
APTM120DA30CT1G Erbjudande
APTM120DA30CT1G Lägsta pris
APTM120DA30CT1G Sök
APTM120DA30CT1G Köp av
APTM120DA30CT1G Chip