APTM10UM02FAG
MOSFET N-CH 100V 570A SP6
Artikelnummer
APTM10UM02FAG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SP6
Leverantörsenhetspaket
SP6
Effektförlust (max)
1660W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
570A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 200A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
1360nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
40000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36521 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APTM10UM02FAG
APTM10UM02FAG Elektroniska komponenter
APTM10UM02FAG Försäljning
APTM10UM02FAG Leverantör
APTM10UM02FAG Distributör
APTM10UM02FAG Datatabell
APTM10UM02FAG Foton
APTM10UM02FAG Pris
APTM10UM02FAG Erbjudande
APTM10UM02FAG Lägsta pris
APTM10UM02FAG Sök
APTM10UM02FAG Köp av
APTM10UM02FAG Chip