APTM10SKM02G
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
Artikelnummer
APTM10SKM02G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SP6
Leverantörsenhetspaket
SP6
Effektförlust (max)
1250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
495A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 200A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
1360nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
40000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34334 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APTM10SKM02G
APTM10SKM02G Elektroniska komponenter
APTM10SKM02G Försäljning
APTM10SKM02G Leverantör
APTM10SKM02G Distributör
APTM10SKM02G Datatabell
APTM10SKM02G Foton
APTM10SKM02G Pris
APTM10SKM02G Erbjudande
APTM10SKM02G Lägsta pris
APTM10SKM02G Sök
APTM10SKM02G Köp av
APTM10SKM02G Chip