Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
APTM10DHM09T3G
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
Artikelnummer
APTM10DHM09T3G
Tillverkare/varumärke
Serier
POWER MOS V®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Bulk
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SP3
Effekt - Max
390W
Leverantörsenhetspaket
SP3
FET typ
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-funktioner
Standard
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
139A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
350nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9875pF @ 25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24204 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APTM10DHM09T3G
APTM10DHM09T3G Elektroniska komponenter
APTM10DHM09T3G Försäljning
APTM10DHM09T3G Leverantör
APTM10DHM09T3G Distributör
APTM10DHM09T3G Datatabell
APTM10DHM09T3G Foton
APTM10DHM09T3G Pris
APTM10DHM09T3G Erbjudande
APTM10DHM09T3G Lägsta pris
APTM10DHM09T3G Sök
APTM10DHM09T3G Köp av
APTM10DHM09T3G Chip